在氮化鋁陶瓷中常用的添加劑有Y2O3、 CaO等，含CaO的氮化鋁材料，燒結(jié)溫度較低，熱導(dǎo)率約100W/ (m·K) 。在生產(chǎn)過程中，對(duì)多晶氮化鋁陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化控制有著重要的意義。含氧化鈣無壓燒結(jié)的氮化鋁材料在非氧化氣氛下進(jìn)行熱處理后，氮化鋁陶瓷體的熱導(dǎo)率高達(dá)219W/ (m·K) 添加Y2O3, 可以改善其導(dǎo)熱性、耐熱性及機(jī)械強(qiáng)度。
作為封裝或基板材料，陶瓷表面常涉及金屬化問題。雖然氮化鋁和鎢具有良好的熱脹匹配性，但由于兩者間不存在任何反應(yīng)難以建立起理想的結(jié)合機(jī)制。在鎢粉中加人熔劑類物質(zhì)，如CaO可改善金屬化性能，熔劑類物質(zhì)的主要作用是可與氮化鋁表面的 Al2O3形成鋁酸鹽物質(zhì)，并能沿 AIN 晶界遷移，從而加強(qiáng)了AIN與鎢粉間的結(jié)合強(qiáng)度。
用于集成電路基片可以提高集成電路的集成度。
氮化硼（BN) 具有良好的導(dǎo)熱性能，理論估計(jì)立方 BN單晶導(dǎo)熱率高達(dá) 1300W/ (m·K) 。六方（石墨）和三方BN 都具有層狀結(jié)構(gòu)。
六方（石墨）BN具有良好的導(dǎo)熱性、機(jī)械加工性能、高頻介電性能，還有無毒性，導(dǎo)熱性能隨溫度變化小等優(yōu)點(diǎn)，是一種值得大力開發(fā)的絕緣陶瓷材料之一。
近年來，為改善集成電路基片的散熱性，一方面將熱導(dǎo)率高于氧化鋁9倍、有毒性的氧化（BeO) 材料用作為高功率集成電路基片；另一方面用 SiC 作為基片。在SiC中添加BeO, 能使晶界具有絕緣性，從而使 SiC材料變成絕緣體，還提高耐熱性和強(qiáng)度。
2. BN絕緣瓷