在氮化鋁陶瓷中常用的添加劑有Y2O3、 CaO等，含CaO的氮化鋁材料，燒結溫度較低，熱導率約100W/ (m·K) 。在生產過程中，對多晶氮化鋁陶瓷的顯微結構進行優化控制有著重要的意義。含氧化鈣無壓燒結的氮化鋁材料在非氧化氣氛下進行熱處理后，氮化鋁陶瓷體的熱導率高達219W/ (m·K) 添加Y2O3, 可以改善其導熱性、耐熱性及機械強度。
作為封裝或基板材料，陶瓷表面常涉及金屬化問題。雖然氮化鋁和鎢具有良好的熱脹匹配性，但由于兩者間不存在任何反應難以建立起理想的結合機制。在鎢粉中加人熔劑類物質，如CaO可改善金屬化性能，熔劑類物質的主要作用是可與氮化鋁表面的 Al2O3形成鋁酸鹽物質，并能沿 AIN 晶界遷移，從而加強了AIN與鎢粉間的結合強度。
用于集成電路基片可以提高集成電路的集成度。
氮化硼（BN) 具有良好的導熱性能，理論估計立方 BN單晶導熱率高達 1300W/ (m·K) 。六方（石墨）和三方BN 都具有層狀結構。
六方（石墨）BN具有良好的導熱性、機械加工性能、高頻介電性能，還有無毒性，導熱性能隨溫度變化小等優點，是一種值得大力開發的絕緣陶瓷材料之一。
近年來，為改善集成電路基片的散熱性，一方面將熱導率高于氧化鋁9倍、有毒性的氧化（BeO) 材料用作為高功率集成電路基片；另一方面用 SiC 作為基片。在SiC中添加BeO, 能使晶界具有絕緣性，從而使 SiC材料變成絕緣體，還提高耐熱性和強度。
2. BN絕緣瓷